2N7002,215 | NEXPERIA
NEXPERIA N-Kanal Trench MOSFET, 60 V, 300 mA, SOT-23, 2N7002,215
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MOSFET NFET en Reihe 2N.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): 2N7002, SOT23, NXP
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 5 Ω | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 2.8 Ω | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Spannung | 60 V | |
| max. Strom | 300 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Verlustleistung W (DC) | 830 mW |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
