Infineon N沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 230 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

  • RS 库存编号 826-9285
  • 制造商零件编号 BSS138NH6433XTMA1
  • 制造商 Infineon
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

N 沟道小信号 MOSFET 60 V,SOT23 封装

Infineon technologies 为汽车和工业制造商提供广泛的 N 沟道和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合,这些产品采用众所周知的行业标准封装,满足并超越最高质量要求。这些元件具有无与伦比的可靠性和制造能力,是 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制等各种应用的理想之选。

功能摘要

• 增强模式
• 逻辑电平
• 雪崩级
• 快速切换
• Dv/dt 额定值
• 无铅镀层
• 符合 RoHS 标准,无卤
• 符合汽车标准
• 具备 PPAP 功能

优势

• 低 RDS(on) 提供更高的效率并延长电池寿命
• 小型封装,节省印刷电路板空间
• 一流的质量和可靠性

潜在应用

• 汽车
• 照明
• 电池管理
• 负载开关
• 直流-直流
• 电动
• 电机控制
• 板载充电器
• 电信

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 230 mA
最大漏源电压 60 V
封装类型 SOT-23
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 3.5 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1.4V
最小栅阈值电压 0.6V
最大功率耗散 360 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
宽度 1.3mm
晶体管材料 Si
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 10 V
长度 2.9mm
最高工作温度 +150 °C
当前暂无库存,可于2025-05-05发货,5 工作日送达。
单价(不含税) 个 (在毎卷:500)
RMB 0.695
(不含税)
RMB 0.785
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
500 - 2000
RMB0.695
RMB347.50
2500 - 4500
RMB0.674
RMB337.00
5000 +
RMB0.654
RMB327.00
* 参考价格