Infineon technologies 为汽车和工业制造商提供广泛的 N 沟道和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合,这些产品采用众所周知的行业标准封装,满足并超越最高质量要求。这些元件具有无与伦比的可靠性和制造能力,是 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制等各种应用的理想之选。
• 增强模式
• 逻辑电平
• 雪崩级
• 快速切换
• Dv/dt 额定值
• 无铅镀层
• 符合 RoHS 标准,无卤
• 符合汽车标准
• 具备 PPAP 功能
• 低 RDS(on) 提供更高的效率并延长电池寿命
• 小型封装,节省印刷电路板空间
• 一流的质量和可靠性
• 汽车
• 照明
• 电池管理
• 负载开关
• 直流-直流
• 电动
• 电机控制
• 板载充电器
• 电信
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 230 mA |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | SOT-23 |
安装类型 | 贴片 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 3.5 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 1.4V |
最小栅阈值电压 | 0.6V |
最大功率耗散 | 360 mW |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 1.3mm |
晶体管材料 | Si |
典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 10 V |
长度 | 2.9mm |
最高工作温度 | +150 °C |