onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 380 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

  • RS 库存编号 121-6300
  • 制造商零件编号 2N7002KT1G
  • 制造商 onsemi
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor

MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 380 mA
最大漏源电压 60 V
封装类型 SOT-23
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 2.5 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.3V
最大功率耗散 420 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
长度 3.04mm
典型栅极电荷@Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
宽度 1.4mm
90000 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) 个 (在毎卷:3000)
RMB 0.198
(不含税)
RMB 0.224
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
3000 - 3000
RMB0.198
RMB594.00
6000 - 27000
RMB0.194
RMB582.00
30000 +
RMB0.187
RMB561.00
* 参考价格