DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 300 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

  • RS 库存编号 121-9601
  • 制造商零件编号 2N7002E-7-F
  • 制造商 DiodesZetex
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,Diodes Inc.

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 300 mA
最大漏源电压 60 V
封装类型 SOT-23
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 4 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.5V
最大功率耗散 540 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -40 V、+40 V
典型栅极电荷@Vgs 0.223 nC @ 4.5 V
长度 3mm
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
宽度 1.4mm
24000 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) 个 (在毎卷:3000)
RMB 0.287
(不含税)
RMB 0.324
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
3000 - 3000
RMB0.287
RMB861.00
6000 - 9000
RMB0.279
RMB837.00
12000 +
RMB0.27
RMB810.00
* 参考价格